標準的な結晶の仕様
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標準的仕様 Nd:YVO結晶、ミラー、SHG結晶

   DPM 緑色レーザ 発光素子(半導体レーザ内・外に配置)

  高出力用 (個別構成部品)    (RTP Qスイッチ)

  低出力用 (個別構成部品)    (Cr4+:YAG Qスイッチ)

  PPKTP   Nd:YAGロッド    IBSコート・ミラー

    フェムト秒レーザ用波長変換結晶

  資料・データ  結晶の在庫

 

少量の1064nmおよびグリーンレーザーを作ろうとするお客、またはこれから開発に入ろうとするお客のために、コーテング済みの、Nd:YVO結晶、ミラー、KTP結晶、LBO結晶、BBO結晶を多種・多様に取り揃えて在庫販売しています。 コーテングは、最先端のイオン・アシスト法でおこなっています。 大きく分けて、低出力用と高出力用と二分類されます。。 

 

 

 

DPM 緑色レーザ 発光素子 (TEMoo CW  532nm 1〜60mW)  変換効率:5〜15% (808nm→532nm)

DPM素子の解説 ⇒別のページ

  Substrate

 Dimension

   (mm)

 Cutting

  Angle

 S1 Coat  (nm)

 S2 Coat (nm)

 Part No.

 1064

 808

 532

 1064

 532

 レーザ結晶 とKTP結晶を接合 Laser Crystal glued with KTP Crystal

 低出力DPM CW  10mW 532nm  @LD 300mW 808nm

 Nd:YVO4+KTP

   1x1x2.5

  a-cut, SHG

 R>99.8% 

 R<5%

 R>99%

 R>99.8%

 R<5%

 

 Nd:YVO4+KTP

   1.5x1.5x2.5

  a-cut, SHG

 R>99.8%

 R<5%

 R>99%

 R>99.8%

 R<5%

 

 
 レーザ結晶 とKTP結晶を接合 Laser Crystal optical-contacted with KTP Crystal                    

レーザ結晶 とCr:YAG結晶とKTP結晶を光学接合

 高出力DPM CW 〜60mW 532nm  @808nm 500mW励起

パルス出力DPM素子(808nm LD CW励起にて自動的にパルスレーザ発振) 10mW 〜 50mW 532nm

 Nd:YVO4+KTP

 1x1.5x2.5

  a-cut, SHG

 R>99.8% 

 R<5%

 R>99%

 R>99.8%

 R<5%

 

 808nm 350mW 〜 励起

10mW 〜50mW 532nm

パルス出力 80kHz 20ns

 Nd:YVO4+KTP

 1.5x2x2.5

  a-cut, SHG

 R>99.8% 

 R<5%

 R>99%

 R>99.8%

 R<5%

 

結晶サイズ 1.5x2x3mm 両面は左表と同じコート付

 

 

サンプル出荷出来ます

 

高出力 High Power Version (CW 532nm 1W - 15W or more)

Substrate

(Doped Rate)

Dimension

   (mm)

Cutting

  Angle

S1 Coat  @(nm) S2 Coat @(nm) Part No.
1064 808 532 1064 532
レーザー結晶 Laser Crystals        上欄の4結晶はロッド状〔円筒形)
Nd:GdVO4 0.5%   a-cut R<0.1%  R<5% R<0.1%  
Nd:GdVO4 0.5%   a-cut R<0.1%  R<5%   R<0.1%    
Nd:YVO4 0.5%   Φ3x10   a-cut R<0.1%  R<5%   R<0.1%     
Nd:YVO4 0.5%   Φ3x15   a-cut R<0.1%  R<5%   R<0.1%     
Nd:YVO4 1% 3x3x3   a-cut R<0.1%  R<5% R<0.1%
Nd:YVO4 1% 3x3x5   a-cut R<0.1%  R<5% R<0.1%
Nd:YVO4 0.7% 4x4x4

a-cut

R<0.1%  R<5% R<0.1%
Nd:YVO4 0.5% 4x4x7   a-cut R<0.1%  R<5% R<0.1%
Nd:YVO4 0.5% 3x3x12   a-cut R<0.1% R<5% R<0.1%
Nd:YAG 1% ø4x50   <111> R<0.1% R<5% R<0.1%
RTP Qスイッチ (E-O) Nd:YVO4レーザー用            → 詳細解説
RTP 2x2x5  2結晶 X-cut T>98.5% 温度相補償構造 電極・リード線・台座付 QSW8101
RTP 3x3x5   2結晶 X-cut T>98.5% 温度相補償構造 電極・リード線・台座付 QSW8102
RTP 4x4x10  2結晶 X-cut T>98.5% 温度相補償構造 電極・リード線・台座付 QSW8103
RTP 6x6x10  2結晶 X-cut T>98.5% 温度相補償構造 電極・リード線・台座付 QSW8104
RTP 9x9x10  2結晶 X-cut T>98.5% 温度相補償構造 電極・リード線・台座付 QSW8105
非線形光学結晶 Nonlinear Optical Crystals       1. (Type-1)       2. (Type-2)  
BIBO 3x3x7  詳細 1-CPM-SHG R<0.2% R<0.5% R<0.2% R<0.5% deff:.BBOの2倍
BIBO 3x3x7 2-CPM-THG R<0.2% R<5% @355nm R<0.5% 同左コート仕様 deff:.BBOの2倍
BIBO 3x3x7 2-CPM-THG R<0.2% R<0.5% R<0.5% deff:.BBOの2倍
LBO 3x3x15 1.NCPM-SHG R<0.2% R<0.5% R<0.2% R<0.5%
LOB 3x3x18 1.NCPM-SHG R<0.2% R<0.5% R<0.2% R<0.5%
LBO 3x3x12 2.CPM-THG R<0.2% R<0.5% R<0.2% R<0.5%
BBO 3x3x7 1.CPM-THG R<0.2% R<0.5% R<0.2% @355nm
BBO 3x3x7 1.CPM-FHG R<0.5% @266nm R<0.2% R<0.5%    @266nm R<0.2%
GTR-KTP 3x3x7mm 1-CPM-SHG R<0.1%   R<0.5% R<0.1% R<0.5%  
GTR-KTP 3x3x10mm 1-CPM-SHG R<0.1% R<0.5% R<0.1% R<0.5%
Oven & Temperature Controller for NLO Crystals
Oven for installation LBO, KN, LN, DKDP, ADP, BBO, KTP
Temperature Controller 0.1 deg. accuracy, room temp. to 200 deg.
ミラー Mirrors (P/P: Plano/Plano,) クリック⇒ IBSコート・ミラー

 

低出力 Low Power Version (CW 532nm <250mW)

 

輸入品でありますので、少数量のご注文はお断りしています。

 

Substrate

(Doped Rate)

Dimension

   (mm)

Cutting

  Angle

S1 Coat   @(nm) S2 Coat  @(nm) Part No.
1064 808 532 1064 532
レーザー結晶 Laser Crystals      Nd:GdVO4結晶については、個々にお問い合わせ下さい
Nd:YVO4 1% 3x3x1   or,                  3% 3x3x0.5   a-cut R<0.1%  R<5% R<0.1%
Nd:YVO4   a-cut R>99.8%  R<5%  R>99% R<0.1%
Nd:YVO4   a-cut R>99.8% R<5% R<0.1%
Nd:YVO4   a-cut R>99.8% R<5%   R=95%    
Cr:YAG 3x3xt T=80%, 90% R<0.1%  R<0.1%
Nd:YAG 1% ø3x5   <111> R<0.1%  R<5%   R<0.1%  
Nd:YAG R>99.8% R<5% R>99% R<0.1%  
Nd:YAG R>99.8% R<5%   R<0.1%    
Nd:YAG R>99.8% R<5%   R=95%    
Nd:YAG 1% 5x5x1.5, 946nm R>99.8% @946nm R<5% R<0.1% @946nm
非線形光学結晶 Nonlinear Optical Crystals    1. (Type-1)   2. (Type-2)  
KTP 3x3x5 2.CPM-SHG R<0.1%    R<0.5% R<0.1% R<0.5%
KTP 3x3x5 2.CPM-SHG R>99.8% R<5% R<0.1% R<0.5%

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

周期分極反転 PPKTP       詳細は --> PPKTP

Substrate Dimension

   (mm)

Period of

 domain (µm)

S1 Coat  @(nm) S2 Coat @(nm) Part No.
1064 532 1064 532
PPKTP, SHG of 1064nm, 1mm thick, DAR coatings
KTP 1x1x3 9.0 R<0.2%  R<0.2%  R<0.2% R<0.2%  PKG1103
KTP 1x1x5 9.0 R<0.2%  R<0.2% R<0.2% R<0.2% PKG1105
KTP 1x1x10 9.0 R<0.2%  R<0.2%  R<0.2% R<0.2%  PKG1110
KTP 1x2x3 9.0 R<0.2%  R<0.2% R<0.2% R<0.2% PKG1203
KTP 1x2x5 9.0 R<0.2%  R<0.2% R<0.2% R<0.2% PKG1205
KTP 1x2x10 9.0 R<0.2%  R<0.2% R<0.2% R<0.2% PKG1210
Substrate Dimension

   (mm)

Period of

 domein (µm)

S1 Coat  @(nm) S2 Coat @(nm) Part No.
946 473 946 473
PPKTP, SHG of 946nm, 1mm thick, DAR coatings
KTP 1x1x3 6.04 R<0.2%  R<0.2%  R<0.2% R<0.2%  PKB1103
KTP 1x1x5 6.04 R<0.2%  R<0.2% R<0.2% R<0.2% PKB1105
KTP 1x1x10 6.04 R<0.2%  R<0.2% R<0.2% R<0.2% PKB1110
KTP 1x2x3 6.04 R<0.2%  R<0.2%  R<0.2% R<0.2%  PKB1203
KTP 1x2x5 6.04 R<0.2%  R<0.2% R<0.2% R<0.2% PKB1205
KTP 1x2x10 6.04 R<0.2%  R<0.2% R<0.2% R<0.2% PKB1210

 

 

 

 

 

 

   

 

 

 Available: PPKTP with SHG of >780nm, >1mm thickness, up to 30mm lengt

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